低阻型四探針檢測(cè)儀資料下載
儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法 （2）范圍：電阻率10-5～10+3歐姆·厘米，分辨率為10-5歐姆·厘米 方塊電阻10-4～10+4歐姆/□，Z小分辨率為10-4歐姆/□ （3）可測(cè)量材料：半導(dǎo)體材料硅鍺棒、塊、片、導(dǎo)電薄膜等 可準(zhǔn)確測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥20㎜ 可測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥8㎜ （4）測(cè)量方式：平面測(cè)量。 （5）電壓表：雙數(shù)字電壓表，可同時(shí)觀察電流、電壓變化 A.量程0~19.999 mV B.基本誤差±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度) C.靈敏度：1uV D輸入阻抗﹥1000MΩ E 4 1/2位數(shù)字顯示，0～19999 （6）恒流源： A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續(xù)可調(diào)，有交流電源供給 B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔 C.恒流源精度：各檔均≤±0.05% （7）四探針測(cè)試探頭 A.探頭間距1.59㎜ B.探針機(jī)械游率：±0.3% C.探針直徑0.8㎜ D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐姆。 （8）測(cè)試架：（選配） 手動(dòng)測(cè)試架：KDJ-1A 型手動(dòng)測(cè)試架探頭上下由手動(dòng)操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測(cè)試，探針頭可上下移動(dòng)距離：120mm，測(cè)試臺(tái)面200x200(mm)。 （9）精度 電器精度：1-1000歐姆≤0.3 % 整機(jī)測(cè)量精度：1-100歐姆·厘米≤3% （10）電流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W 注：如果測(cè)金屬粉末電阻率必把樣品壓成塊或片才能測(cè)
蘇經(jīng)理
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